三星将在年底推出 200 层 + NAND 闪存，数据传输速度提高 30%
来源：PingWest品玩 2022-02-09 14:45:58
原标题：三星将在年底推出 200 层 + NAND 闪存，数据传输速度提高 30%
品玩2月9日讯，据 businesskorea 报道，三星电子原计划在 2021 年末开始量产 176 层 NAND，但考虑到市场情况，推迟到了 2022 年第一季度。不过美国的美光已经开始量产 176 层 NAND，业内人士预测，三星电子将加快 200 层以上 NAND 闪存量产的步伐，以夺回被美光夺走的技术领先地位。
业内人士称，三星电子将在 128 层的单片存储器上叠加 96 层，推出 224 层的 NAND 闪存。与 176 层相比，224 层 NAND 闪存的生产效率和数据传输速度将提高 30%。
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